Caracterización del comportamiento voltaje-corriente del MOSFET de compuerta flotante de múltiples entradas

Abstract

El modelo de un dispositivo es de suma importancia dentro del flujo de diseño de un circuito integrado ya que su fabricación resulta muy costosa y la prueba y error no es una opción viable. Afortunadamente, en la actualidad se cuenta con diferentes modelos confiables y precisos para describir el comportamiento del transistor MOSFET convencional y dado que el MIFGMOS es una adaptación de un MOSFET, se considera que el modelo puede ser adaptado. Lo que se hace en este trabajo es parte del esfuerzo por adaptar el modelo del transistor MOSFET al transistor MIFGMOS utilizando datos analíticos y experimentales, lo que permitirá que los diseñadores de CI’s cuenten con herramientas más confiables para la generación de celdas analógicas de alto desempeño.