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https://hdl.handle.net/20.500.12104/80025
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DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | Medina Vázquez, Agustín Santiago | |
dc.contributor.author | Saldivar, Claudia Dávila | |
dc.contributor.editor | CUCEI | |
dc.contributor.editor | Universidad de Guadalajara | |
dc.contributor.other | MAESTRIA EN CIENCIAS EN INGENIERIA ELECTRONICA Y COMPUTACION | |
dc.date.accessioned | 2019-12-24T02:33:31Z | - |
dc.date.available | 2019-12-24T02:33:31Z | - |
dc.date.issued | 1969-12-31 | |
dc.identifier.uri | https://wdg.biblio.udg.mx | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12104/80025 | - |
dc.description.abstract | El modelo de un dispositivo es de suma importancia dentro del flujo de diseño de un circuito integrado ya que su fabricación resulta muy costosa y la prueba y error no es una opción viable. Afortunadamente, en la actualidad se cuenta con diferentes modelos confiables y precisos para describir el comportamiento del transistor MOSFET convencional y dado que el MIFGMOS es una adaptación de un MOSFET, se considera que el modelo puede ser adaptado. Lo que se hace en este trabajo es parte del esfuerzo por adaptar el modelo del transistor MOSFET al transistor MIFGMOS utilizando datos analíticos y experimentales, lo que permitirá que los diseñadores de CI’s cuenten con herramientas más confiables para la generación de celdas analógicas de alto desempeño. | |
dc.description.tableofcontents | 1 INTRODUCCIÓN 1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA 1.2 OBJETIVOS 1.3 JUSTIFICACIÓN 1.4 METODOLOGÍA DE LA INVESTIGACIÓN 2 ANTECEDENTES 2.1 EL MIFGMOS 2.2 LA CARGA RESIDUAL DEL PROCESO 2.3 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL TRANSISTOR MIFGMOS 2.4 APLICACIONES 2.5 MODELO DE LA COMPUERTA FLOTANTE 2.6 MACROMODELOS 2.7 MODELO CUADRÁTICO 2.8 MODELO EKV 2.8.1 INVERSIÓN DÉBIL 2.8.2 INVERSIÓN MODERADA 2.8.3 INVERSIÓN FUERTE 2.9 EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS 2.10 CARACTERIZACIÓN 3 MODELO EKV PARA EL MIFGMOS 3.1 ADAPTANDO UN MODELO PARA EL MIFGMOS 3.2 BREVIARIO DEL MODELO EKV Y SU ADAPTACIÓN AL MIFGMOS 3.3 ESTRATEGIA 1. EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS 3.4 ESTRATEGIA 2. DESARROLLO NUMÉRICO 4 RESULTADOS EXPERIMENTALES 4.1 LAYOUT Y DISEÑO DEL EXPERIMENTO 4.1.1 CASO 1. VOLTAJE DE UMBRAL DEL TRANSISTOR MIFGMOS 4.1.2 CASO 2. VOLTAJE DE COMPUERTA FLOTANTE DEL TRANSISTOR MIFGMOS (VFG) 4.1.3 CASO 3. VOLTAJE DE SUBUMBRAL 4.2 CONCLUSIONES 4.3 REFERENCIAS | |
dc.format | application/PDF | |
dc.language.iso | es | |
dc.publisher | Biblioteca Digital wdg.biblio | |
dc.publisher | Universidad de Guadalajara | |
dc.rights.uri | https://www.riudg.udg.mx/info/politicas.jsp | |
dc.subject | Diseño De Un Circuito Integrado | |
dc.subject | Transistor Mosfet | |
dc.subject | Mifgmos | |
dc.subject | Diseño De Circuitos Integrados | |
dc.title | Caracterización del comportamiento voltaje-corriente del MOSFET de compuerta flotante de múltiples entradas | |
dc.type | Maestria | |
dc.type | Tesis | |
dc.rights.holder | Universidad de Guadalajara | |
dc.rights.holder | Dávila Saldivar, Claudia | |
dc.coverage | GUADALAJARA, JALISCO | |
Appears in Collections: | CUCEI |
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