DISEÑO DE INDUCTORES INTEGRADOS EN TECNOLÍGA CMOS

Abstract

Introducción

A disminución del precio y tamaño de los equipos de comumcac1ones móviles que operan con Radio Frecuencias (RF) ( telefonía móvil, redes inalámbricas, entre otros) buscan integrar el mayor número de servicios

posibles utilizando tecnologías de bajo costo. Dicha integración está limitada prin- cipalmente por los elementos pasivos (inductores y capacitares) que degradan sus

prestaciones cuando se fabrican sobre substratos con baja resistencia como es el silicio [ 1]. Sin embargo, el mercado exige componentes de RF nanométricos, baratos, de bajo consumo y producción masiva. Por lo cual los grupos de investigación y en especial las empresas de diseño y fabricación de sistemas para RF dirigen hoy sus miradas a las tecnologías de Circuitos Integrados (Cis) de silicio. Gracias a la reducción de las dimensiones, los dispositivos activos en estas tecnologías pueden alcanzar las frecuencias requeridas; pero no se dispone de inductores con factores de calidad (Q) altos [1].