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https://hdl.handle.net/20.500.12104/79926
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Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.advisor | Becerra Alvarez, Edwin Christian | |
dc.contributor.author | Gutiérrez Frías, Eric Francisco | |
dc.date.accessioned | 2019-12-06T18:28:04Z | - |
dc.date.available | 2019-12-06T18:28:04Z | - |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12104/79926 | - |
dc.identifier.uri | https://wdg.biblio.udg.mx | |
dc.description.abstract | Introducción A disminución del precio y tamaño de los equipos de comumcac1ones móviles que operan con Radio Frecuencias (RF) ( telefonía móvil, redes inalámbricas, entre otros) buscan integrar el mayor número de servicios posibles utilizando tecnologías de bajo costo. Dicha integración está limitada prin- cipalmente por los elementos pasivos (inductores y capacitares) que degradan sus prestaciones cuando se fabrican sobre substratos con baja resistencia como es el silicio [ 1]. Sin embargo, el mercado exige componentes de RF nanométricos, baratos, de bajo consumo y producción masiva. Por lo cual los grupos de investigación y en especial las empresas de diseño y fabricación de sistemas para RF dirigen hoy sus miradas a las tecnologías de Circuitos Integrados (Cis) de silicio. Gracias a la reducción de las dimensiones, los dispositivos activos en estas tecnologías pueden alcanzar las frecuencias requeridas; pero no se dispone de inductores con factores de calidad (Q) altos [1]. | |
dc.description.tableofcontents | Indice de Contenidos Lista de Figuras Lista de Tablas l. Introducción 1.1. Planteamiento del Problema 1.2. Objetivos . . . . . . . . . . 1.2.1. Objetivo General .. 1.2.2. Objetivos Específicos 1.3. Metodología ...... . 1.4. Organización de la tesis VI VIII 1 2 3 3 3 3 4 2. Modelado de Inductores Integrados 5 2.1. Modelo Eléctrico del Inductor Integrado 5 2.2. Modelo de Greenhouse . . . . . . . . . . 7 2.3. Modelo de Mohan . . . . . . . . . . . . . 12 2.3.1. Expresión basada en Modificación de la Fórmula de Wheeler 14 2.3.2. Expresión Basada en los lados de las espiras mediante hojas simétricas de densidades para corriente equivalentes 14 2.4. Modelo de Jenei . . 16 2.5. Modelo de Asgaran 21 2.6. Resumen . . . . . . 24 3. Diseño y Simulación de Inductores Integrados 27 3.1. Diseño de Inductores Integrados . . . 28 3.1.1. Diseño del Layout . . . . . . . 29 3.2. Simulación de Inductores integrados . 31 3.3. Resumen . . . . . . . . . . . . 33 4. Caracterización Experimental 35 4.1. Diseño del PCB para montaje del chip 36 4.2. Mediciones preliminares del CI . 38 4.3. Resumen . . . . . . . . . . . . . 46 5. Conclusiones 4 7 IV Contenido V A. Inductancias de Hojas Simétricas de Densidades para Corriente 51 A.1. Hoja Rectangular de Densidad para Corriente . . . . . . . 51 A.2. Hojas Rectangulares de Densidad para Corriente Paralelas 53 A.3. Hoja Trapezoidal de Densidad para Corriente . . . . . . . 55 A.4. Hojas Trapezoidales de Densidad para Corriente Paralelas 58 B. Tecnología CMOS 0.35 ?m 61 B.1. Reglas de Diseño para Layout en la Tecnología CMOS 0.35 ?m . 67 C. Códigos de Simulación de Inductores Integrados 71 C.1. Modelo de Greenhouse 71 C.2. Modelo de Mohan . 75 C.3. Modelo de Jenei . . 77 C .4. Modelo de Asgaran 79 D. Mediciones Preliminares de los Inductores Integrados 81 Referencias 96 | |
dc.format | application/PDF | |
dc.language.iso | spa | |
dc.publisher | Biblioteca Digital wdg.biblio | |
dc.publisher | Universidad de Guadalajara | |
dc.rights.uri | https://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php | |
dc.title | DISEÑO DE INDUCTORES INTEGRADOS EN TECNOLÍGA CMOS | |
dc.type | Tesis de Maestria | |
dc.rights.holder | Universidad de Guadalajara | |
dc.rights.holder | Gutiérrez Frías, Eric Francisco | |
dc.type.conacyt | masterThesis | - |
dc.degree.name | MAESTRIA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN | - |
dc.degree.department | CUCEI | - |
dc.degree.grantor | Universidad de Guadalajara | - |
dc.degree.creator | MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN | - |
Aparece en las colecciones: | CUCEI |
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Fichero | Tamaño | Formato | |
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