Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
https://hdl.handle.net/20.500.12104/79860
Registro completo de metadatos
Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Medina Vázquez, Agustín Santiago | - |
dc.contributor.author | Dávila Saldivar, Claudia | - |
dc.date.accessioned | 2019-11-29T18:40:23Z | - |
dc.date.available | 2019-11-29T18:40:23Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.uri | https://wdg.biblio.udg.mx | - |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12104/79860 | - |
dc.description.abstract | En la actualidad, el diseño de circuitos integrados (CI) tiene como necesidades prioritarias el aumento en el número de componentes y la disminución en los voltajes de operación. El transistor de compuerta flotante de múltiples entradas (MIFGMOS) aporta en la solución de ambas necesidades ya que debido a su estructura ha permitido, en muchos casos, utilizar menos componentes para realizar las mismas operaciones que realizaría un número mayor de MOSFET's convencionales. Además, se ha mostrado que los voltajes de operación del MIFGMOS pueden llegar a ser muy bajos. Note que voltaje de operación no necesariamente se refiere a voltaje de alimentación. Sin embargo, la carencia de un modelo confiable de simulación para el entorno analógico no ha permitido que dicho transistor sea ampliamente utilizado. | - |
dc.description.tableofcontents | ÍNDICE 1 INTRODUCCIÓN ................................................................................................................ 11 1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA ........................................................................................... 11 1.2 OBJETIVOS ....................................................................................................................... 13 1.3 JUSTIFICACIÓN .................................................................................................................. 14 1.4 METODOLOGÍA DE LA INVESTIGACIÓN ..................................................................................... 15 2 ANTECEDENTES .................................................................................................................. 6 2.1 EL MIFGMOS .................................................................................................................... 6 2.2 LA CARGA RESIDUAL DEL PROCESO ........................................................................................... 7 2.3 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL TRANSISTOR MIFGMOS ............................................................... 8 2.4 APLICACIONES .................................................................................................................... 9 2.5 MODELO DE LA COMPUERTA FLOTANTE .................................................................................... 9 2.6 MACROMODELOS .............................................................................................................. 12 2. 7 MODELO CUADRÁTICO ........................................................................................................ 15 2.8 MODELO EKV .................................................................................................................. 18 2.8.1 INVERSIÓN DÉBIL ....................................................................................................................... 19 2.8.2 INVERSIÓN MODERADA .............................................................................................................. 19 2.8.3 INVERSIÓN FUERTE .................................................................................................................... 20 2.9 EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS .............................................................................................. 20 2.10 CARACTERIZACIÓN ........................................................................................................... 21 J MODELO EKV PARA EL MIFGMOS ..................................................................................... 24 3.1 ADAPTANDO UN MODELO PARA EL MIFGMOS ........................................................................ 24 3.2 BREVIARIO DEL MODELO EKV Y SU ADAPTACIÓN AL MIFGMOS ................................................... 27 3.3 ESTRATEGIA l. EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS .......................................................................... 30 3.4 ESTRATEGIA 2. DESARROLLO NUMÉRICO ................................................................................. 34 4 RESULTADOS EXPERIMENTALES ........................................................................................ 37 4.1 LAYOUT Y DISEÑO DEL EXPERIMENTO ..................................................................................... 37 4.1.1 CASO l. VOLTAJE DE UMBRAL DEL TRANSISTOR MIFGMOS ............................................................ 38 4.1.2 CASO 2. VOLTAJE DE COMPUERTA FLOTANTE DEL TRANSISTOR MIFGMOS (VFG) ............................... 42 4.1.3 CASO 3. VOLTAJE DE SUBUMBRAL ................................................................................................ 47 4.2 CONCLUSIONES ................................................................................................................. 58 4.3 REFERENCIAS .................................................................................................................... 60 ~ APÉNDICE A ..................................................................................................................... 63 ~ APÉNDICE B ..................................................................................................................... 64 | - |
dc.format | application/PDF | - |
dc.language.iso | spa | - |
dc.publisher | Biblioteca Digital wdg.biblio | - |
dc.publisher | Universidad de Guadalajara | - |
dc.rights.uri | https://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php | - |
dc.title | Caracterización del comportamiento voltaje-corriente del MOSFET de compuerta flotante de múltiples entradas | - |
dc.type | Tesis de Maestria | - |
dc.rights.holder | Universidad de Guadalajara | - |
dc.rights.holder | Dávila Saldivar, Claudia | - |
dc.type.conacyt | masterThesis | - |
dc.degree.name | MAESTRIA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN | - |
dc.degree.department | CUCEI | - |
dc.degree.grantor | Universidad de Guadalajara | - |
dc.degree.creator | MAESTRA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN | - |
Aparece en las colecciones: | CUCEI |
Ficheros en este ítem:
Fichero | Tamaño | Formato | |
---|---|---|---|
MCUCEI01089.pdf Acceso Restringido | 518.8 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir Request a copy |
Los ítems de RIUdeG están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.