1. RIUdeG
  2. Tesis
  3. Maestría
  4. CUCEI
Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.12104/79860
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dc.contributor.advisorMedina Vázquez, Agustín Santiago-
dc.contributor.authorDávila Saldivar, Claudia-
dc.date.accessioned2019-11-29T18:40:23Z-
dc.date.available2019-11-29T18:40:23Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttps://wdg.biblio.udg.mx-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12104/79860-
dc.description.abstractEn la actualidad, el diseño de circuitos integrados (CI) tiene como necesidades prioritarias el aumento en el número de componentes y la disminución en los voltajes de operación. El transistor de compuerta flotante de múltiples entradas (MIFGMOS) aporta en la solución de ambas necesidades ya que debido a su estructura ha permitido, en muchos casos, utilizar menos componentes para realizar las mismas operaciones que realizaría un número mayor de MOSFET's convencionales. Además, se ha mostrado que los voltajes de operación del MIFGMOS pueden llegar a ser muy bajos. Note que voltaje de operación no necesariamente se refiere a voltaje de alimentación. Sin embargo, la carencia de un modelo confiable de simulación para el entorno analógico no ha permitido que dicho transistor sea ampliamente utilizado.-
dc.description.tableofcontentsÍNDICE 1 INTRODUCCIÓN ................................................................................................................ 11 1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA ........................................................................................... 11 1.2 OBJETIVOS ....................................................................................................................... 13 1.3 JUSTIFICACIÓN .................................................................................................................. 14 1.4 METODOLOGÍA DE LA INVESTIGACIÓN ..................................................................................... 15 2 ANTECEDENTES .................................................................................................................. 6 2.1 EL MIFGMOS .................................................................................................................... 6 2.2 LA CARGA RESIDUAL DEL PROCESO ........................................................................................... 7 2.3 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL TRANSISTOR MIFGMOS ............................................................... 8 2.4 APLICACIONES .................................................................................................................... 9 2.5 MODELO DE LA COMPUERTA FLOTANTE .................................................................................... 9 2.6 MACROMODELOS .............................................................................................................. 12 2. 7 MODELO CUADRÁTICO ........................................................................................................ 15 2.8 MODELO EKV .................................................................................................................. 18 2.8.1 INVERSIÓN DÉBIL ....................................................................................................................... 19 2.8.2 INVERSIÓN MODERADA .............................................................................................................. 19 2.8.3 INVERSIÓN FUERTE .................................................................................................................... 20 2.9 EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS .............................................................................................. 20 2.10 CARACTERIZACIÓN ........................................................................................................... 21 J MODELO EKV PARA EL MIFGMOS ..................................................................................... 24 3.1 ADAPTANDO UN MODELO PARA EL MIFGMOS ........................................................................ 24 3.2 BREVIARIO DEL MODELO EKV Y SU ADAPTACIÓN AL MIFGMOS ................................................... 27 3.3 ESTRATEGIA l. EXTRACCIÓN DE PARÁMETROS .......................................................................... 30 3.4 ESTRATEGIA 2. DESARROLLO NUMÉRICO ................................................................................. 34 4 RESULTADOS EXPERIMENTALES ........................................................................................ 37 4.1 LAYOUT Y DISEÑO DEL EXPERIMENTO ..................................................................................... 37 4.1.1 CASO l. VOLTAJE DE UMBRAL DEL TRANSISTOR MIFGMOS ............................................................ 38 4.1.2 CASO 2. VOLTAJE DE COMPUERTA FLOTANTE DEL TRANSISTOR MIFGMOS (VFG) ............................... 42 4.1.3 CASO 3. VOLTAJE DE SUBUMBRAL ................................................................................................ 47 4.2 CONCLUSIONES ................................................................................................................. 58 4.3 REFERENCIAS .................................................................................................................... 60 ~ APÉNDICE A ..................................................................................................................... 63 ~ APÉNDICE B ..................................................................................................................... 64-
dc.formatapplication/PDF-
dc.language.isospa-
dc.publisherBiblioteca Digital wdg.biblio-
dc.publisherUniversidad de Guadalajara-
dc.rights.urihttps://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php-
dc.titleCaracterización del comportamiento voltaje-corriente del MOSFET de compuerta flotante de múltiples entradas-
dc.typeTesis de Maestria-
dc.rights.holderUniversidad de Guadalajara-
dc.rights.holderDávila Saldivar, Claudia-
dc.type.conacytmasterThesis-
dc.degree.nameMAESTRIA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN-
dc.degree.departmentCUCEI-
dc.degree.grantorUniversidad de Guadalajara-
dc.degree.creatorMAESTRA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN-
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