Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://hdl.handle.net/20.500.12104/80679
Registro completo de metadatos
Campo DCValorLengua/Idioma
dc.contributor.advisorBecerra Alvarez, Edwin Christian
dc.contributor.authorGutiérrez Frías, Eric Francisco
dc.date.accessioned2020-04-09T22:21:57Z-
dc.date.available2020-04-09T22:21:57Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12104/80679-
dc.identifier.urihttp://wdg.biblio.udg.mx
dc.description.abstractIntroducción L mercado de las comunicaciones inalámbricas ha experimentado un nota- ble desarrollo y crecimiento desde la introducción de los primeros sistemas de telefonía móvil modernos a través de nuevas áreas de aplicaciones, me- jora en la transmisión de datos entre otras [1]. Muchos de estos avances se deben al alto nivel de integración en los circuitos electrónicos y al bajo coste de estos [2]. Así, para continuar con el desarrollo de dichos sistemas, se necesita de una completa integración en las etapas de Radio Frecuencia (RF, del inglés Radio Frequency), banda base y procesamiento que constituyen un transceptor moderno [3]. De esta manera, las tecnologías modernas CMOS tienen el potencial para hacer esto.
dc.description.tableofcontentsIndice de Contenidos Agradecimientos Lista de Figuras Lista de Tablas l. Introducción 1.1. Planteamiento del Problema 1.2. Objetivos . . . . . . . . . . 1.2.1. Objetivo General .. 1.2.2. Objetivos Específicos 1.3. Metodología . . . . . . . 1.4. Organización de la tesis I VI IX 1 4 5 5 5 5 6 2. Amplificadores de Potencia 7 2.1. Métricas para los PA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2.1.1. Distorsión AM-AM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2.1.1.1. Potencia de saturación y punto de compresión de 1 dB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 2.1.1.2. Punto de Intercepción del 3er Orden I P3 . 2.1.2. Eficiencia ............ . 2.1.2.1. Eficiencia de drenaje T]d ....... . 2.1.2.2. PAE .................. . 2.2. Descripción de los tipos de Amplificadores de Potencia 2.2.1. Amplificadores Lineales ..... 2.2.1.1. Amplificador Clase A. 2.2.1.2. Amplificador Clase B . 2.2.2. Amplificadores No Lineales . 2.2.3. Amplificador Clase C . . . . . . 2.2.4. Amplificador Clase E . . . . . . 2.3. Decisión óptima para el Amplificador de Potencia 2.4. Resumen ..... . 3. Amplificador Clase E 3.1. Amplificador Clase E ................... . 3.1.1. Descripción del circuito .............. . 3.1.2. Amplificador Clase E con Capacitar de Descarga. III 9 10 10 11 12 12 13 15 16 17 18 19 19 21 21 21 22 Contenido 3.1.2.1. Análisis del circuito ............... . 3.1.3. Amplificador Clase E con Inductancia de alimentación DC Finita ............... . 3.2. Problemas para la Implementación del PA 3.2.1. Bajo Voltaje de Ruptura ..... 3. 2. 2. Efectos de canal corto . . . . . . . 3.2.3. Grandes Capacitancias Parásitas 3.2.4. Limitaciones en Componentes Pasivos en Silicio 3.3. Resumen ......................... . 4. Diseño del P A Clase E 4.1. Ajuste en las ecuaciones de diseño del PA . 4.2. Ajuste en Inductores Integrados . . . . 4.3. Procedimiento de Reducción del Error . . 4.4. Amplificador Cascode Clase E . . . . . . . 4.4.1. Análisis en AC de topología Cascode 4.4.2. Análisis en DC de topología Cascode 4.5. Restricciones en la conductancia finita . . . 4.5.1. Amplificador Cascode Clase E Ideal . 4.6. Resumen .............. . 5. Resultados de Simulación Eléctrica 5.1. Simulación de Inductores Integrados. 5.2. Diseño y Simulación de la Etapa de Salida 5.2.1. Dimensionamiento del Transistor . 5.3. Diseño y Simulación de la Etapa de Entrada 5.4. Simulación Amplificador Cascode Clase E Completa . 5.5. Resumen ........... . 6. Conclusiones y Trabajo Futuro 6.1. Conclusiones .. 6.2. Trabajo Futuro . . . . . . . . A. Modelado de Amplificadores Lineales de Potencia para RF A.1. Amplificador Clase A A.2. Amplificador Clase B A.3. Amplificador Clase C B. Tecnología CMOS IBM 130nm C. Modelado de Inductores Integrados C. l. Modelo de Greenhouse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C.2. Modelo de Mohan .......................... . C.2.1. Expresión basada en Modificación de la Fórmula de Wheeler C.2.2. Expresión Basada en los lados de las espiras mediante hojas simétricas de densidades para corriente equivalentes ..... IV 24 31 48 48 49 49 50 50 53 54 59 62 68 70 71 73 75 77 79 80 81 84 87 91 97 99 99 100 101 101 103 106 109 115 117 122 124 124 Contenido C.3. Modelo de Jenei . C.4. Modelo de Asgaran Referencias V 126 131 135
dc.formatapplication/PDF
dc.language.isospa
dc.publisherBiblioteca Digital wdg.biblio
dc.publisherUniversidad de Guadalajara
dc.rights.urihttps://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php
dc.titleMETODOLOGÍA DE DISEÑO PARA AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN SISTEMAS DE COMUNICACIONES CON BAJO CONSUMO
dc.typeTesis de Doctorado
dc.rights.holderUniversidad de Guadalajara
dc.rights.holderGutiérrez Frías, Eric Francisco
dc.coverageGuadalajara, Jalisco, México
dc.type.conacytDoctoralThesis-
dc.degree.nameDOCTORADO EN CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA Y LA COMPUTACIÓN CON ORIENTACIÓN EN DISEÑO ELECTRÓNICO Y OPTOELECTRÓNICA-
dc.degree.departmentCUCEI-
dc.degree.grantorUniversidad de Guadalajara-
dc.rights.accessopenAccess-
dc.degree.creatorDOCTOR EN CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA Y LA COMPUTACIÓN CON ORIENTACIÓN EN DISEÑO ELECTRÓNICO Y OPTOELECTRÓNICA-
Aparece en las colecciones:CUCEI

Ficheros en este ítem:
Fichero TamañoFormato 
DCUCEI00119FT.pdf24.43 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Los ítems de RIUdeG están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.