ANÁLISIS DE CELDAS ANALÓGICAS BASADAS EN EL TRANSISTOR MOS DE COMPUERTA FLOTANTE PARA SU USO EN MUY BAJO VOLTAJE DE OPERACIÓN

López Martínez, Néstor Gerardo

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Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.advisor	Medina Vázquez, Agustín Santiago
dc.contributor.author	López Martínez, Néstor Gerardo
dc.date.accessioned	2020-04-05T22:59:55Z	-
dc.date.available	2020-04-05T22:59:55Z	-
dc.date.issued	2017
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/20.500.12104/80600	-
dc.identifier.uri	http://wdg.biblio.udg.mx
dc.description.abstract	Introducción En la actualidad nos encontramos en la búsqueda de circuitos elec- trónicos que operen con voltajes por debajo de 1 V. Esto debido a la gran aceptación que han tenido los dispositivos móviles, los cuales se alimentan con fuentes de alimentación de muy bajo voltaje. Además, actualmente se desarrolla investigación para obtener celdas electróni- cas que funcionen con fuentes alternativas, como podrían ser celdas solares, fuentes eólicas, cinéticas, etc., en donde los voltajes entregados son muy pequeños. El contar con celdas de muy bajo voltaje de operación, abre el panora- ma para la implementación de una electrónica muy útil que encuentra aplicaciones interesantes en el diseño de circuitos electrónicos para bio- electrónica, sensores, móviles, etc., en donde a este tipo de electrónica se le exige cada vez menor voltaje de operación sin descuidar el desem- peño del circuito.
dc.description.tableofcontents	Indice de Contenidos Agradecimientos vn 1 Introducción 1 1.1 Introducción 1 1.2 Objetivos 3 1.2.1 Objetivos Generales 3 1.2.2 Objetivos Especificas . 4 1.3 Metodología . . . . . . . 5 1.4 Organización de la tesis 6 2 Antecedentes 7 2.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2.2 Transistor de compuerta flotante de múltiples entradas 8 2.2.1 Carga residual de la compuerta flotante 11 2.2.2 Modelado del transistor MI-FGMOS 12 2.3 Amplificador Transconductor. 16 2.4 Espejos de corriente 19 2.5 Flujo de diseño 22 3 Implementación 25 3.1 Introducción 25 3.2 Transconductores 25 3.2.1 Construcción del transconductor MOSFET conven- cional TCl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 3.2.2 Construcción del transconductor mixto TC2 31 3.2.3 Construcción del transconductor MI-FGMOS TC3 . 35 3.2.4 Simulación de los transconductores 38 3.3 Espejos de corriente . . . . . . . . . . . . . 44 3.3.1 Construcción del espejo de corriente cascode CCM 1 45 VIII Contenido 3.3.2 Construcción del espejo de corriente cascode CCM2 48 3.3.3 Construcción del espejo de corriente CCM3 51 3.3.4 Simulación de los espejos de corriente 54 4 Resultados 59 4.1 Introducción 59 4.2 Experimentación de los transconductores 60 4.2.1 Comparación entre simulación y experimentación . 61 4.3 Adaptación del macro-modelo . . . . . . . . . . . . . . . . 68 5 Conclusiones 74 A Tecnología CMOS 0.35 ?m de TSMC 76 B Macromodelos para el transistor MI-FGMOS 82 C Resultados de simulación y experimentación 91 Referencias 103
dc.format	application/PDF
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Biblioteca Digital wdg.biblio
dc.publisher	Universidad de Guadalajara
dc.rights.uri	https://wdg.biblio.udg.mx/politicasdepublicacion.php
dc.title	ANÁLISIS DE CELDAS ANALÓGICAS BASADAS EN EL TRANSISTOR MOS DE COMPUERTA FLOTANTE PARA SU USO EN MUY BAJO VOLTAJE DE OPERACIÓN
dc.type	Tesis de Maestria
dc.rights.holder	Universidad de Guadalajara
dc.rights.holder	López Martínez, Néstor Gerardo
dc.coverage	Guadalajara, Jalisco
dc.type.conacyt	masterThesis	-
dc.degree.name	MAESTRIA EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN	-
dc.degree.department	CUCEI	-
dc.degree.grantor	Universidad de Guadalajara	-
dc.degree.creator	MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN	-
Aparece en las colecciones:	CUCEI

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